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解決方案 >> 硅料與硅片品質(zhì)提升解決方案
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單晶棒電阻率虛高問題
單晶棒檢測時，常會碰到電阻率虛高問題，后續(xù)出現(xiàn)問題也很難被察覺，這有時候會讓工程師很煩惱，有一種方法可以避免虛高......
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硅塊硬質(zhì)點漏檢解決方案
切硅塊，大家都知道最怕什么，最怕斷線！加工工藝不合適會引起斷線，操作不當也會引起斷線，最主要的是硅塊內(nèi)部硬質(zhì)點。怎么解決這個硬質(zhì)點才是關(guān)鍵，那我們來分析一下吧。
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氧碳含量超標解決方案
氧含量影響電阻率及少子壽命，碳含量影響到硅片的脆性。那標準是什么，如何解決超標問題，讓我們來一起關(guān)注......
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少子壽命不準解決方案
Si片少子壽命是關(guān)鍵參數(shù)，直接決定了電池片的效率。但不同的方法會有不同的結(jié)果，如何才能得到想要的真實結(jié)果，什么樣的方法是可靠的....
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硅片碎片率高解決方案
碎片原因很多種，除了人為因素，本身平整度，C含量超標等都會引起碎片。降低成本，減少碎片，來看如何解決？
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黑心片黑邊片解決方案
黑心與黑邊是影響電池片發(fā)電效率的嚴重問題，關(guān)于其生成的機理和檢測手段，業(yè)內(nèi)多有研究，如何能更好的解決客戶問題，也是我們一致努力的方向。
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單晶多晶工藝流程
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