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光譜橢偏儀

光譜橢偏儀

光譜橢偏儀(PH-SE型)針對太陽能電池應(yīng)用,可測量多晶硅/單晶硅絨面表面單層(二層或多層)減反射膜、和玻璃/有機(jī)基底上的薄膜太陽能電池。多層膜和非均勻薄膜的分析也非常出色。 針對太陽能電池應(yīng)用的光譜橢偏儀基于最佳的橢偏光路設(shè)計(jì),高靈敏度探測單元和光譜橢偏儀分析軟件,可測量各種太陽能電池的薄膜厚度和光學(xué)常數(shù),光學(xué)帶寬等。



光譜橢偏儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)

連續(xù)波長的光源為用戶提供了更大的應(yīng)用空間
更簡便快捷的樣品準(zhǔn)直方法
軟件具備豐富的材料數(shù)據(jù)庫
允許用戶自定義色散模型,更方便用戶研究新材料的光學(xué)性質(zhì)
全波長多角度同時數(shù)據(jù)擬合,EMA模型用戶多成分化合物和表面粗糙度分析
具有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和模擬數(shù)據(jù)三維繪圖功能
光譜范圍寬達(dá)250 - 1100nm (可擴(kuò)展至250-1700nm)
功能強(qiáng)大的光譜橢偏測量與分析軟件




光譜橢偏儀 - 技術(shù)指標(biāo)

光源:氙燈
光斑直徑:1-3mm
入射角范圍:20°到90°,5°/步
波長范圍:350-850nm, 250-1100nm, 250-1700nm:0.002°~ 0.02°
波長精度:1nm
 測量時間: < 8s (取決于測量模式和粗糙度)
 樣品尺寸: 125x125mm 156x156mm,200x200mm電池片, 其他尺寸

 測量精度:0.02nm
 折射率:0.0002, 100nmSiO2 on Si 
 厚度測量范圍:0.01nm ~ 50um

 消光比:10-6



光譜橢偏儀 - 可選配

CCD線陣列探測元件:200-850nm,350-1000nm
樣品顯微鏡
高穩(wěn)定性消色差補(bǔ)償器
透射測量架
XY移動樣品臺



光譜橢偏儀 - 典型客戶

美國,歐洲,亞洲及國內(nèi)太陽能及半導(dǎo)體客戶。

 

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